L'un des principaux défis actuels de la photonique sur silicium est d’obtenir un laser intégré technologiquement compatible avec les fonderies de la microélectronique. Les lasers à semi-conducteurs traditionnels utilisent des semi-conducteurs III-V qui ne sont pas acceptés dans les fonderies de silicium, contrairement aux semi-conducteurs du groupe IV. Le CEA Grenoble fait partie des rares laboratoires à avoir déjà fait la démonstration du laser à pompage électriquedans l'infrarouge moyen dans les semi-conducteurs en GeSn. Dans un laboratoire de 35 personnes, vous serez amenez à fabriquer en salle blanche des sources lasers à base d’alliage GeSn. Ces nouveaux matériaux du groupe-IV à gap direct et épitaxié sur des wafers Si 200 mm sont considéré comme CMOS compatible et sont très prometteurs pour la réalisation de sources moyen infra-rouge bas coût. Vous caractériserez, sur un banc optique moyen infra-rouge, ces sources lumineuses, en vue de leur future intégration sur une plateforme photonique Germanium/Silicium. Enfin, vous évaluerez également la faisabilité de détection de gaz dans une gamme de concentrations de quelques dizaines à quelques milliers de ppm. Vous vous intéressez particulièrement à l’amélioration de des paramètres de fonctionnement des lasers à base de GeSn et à la détermination de leurs gains optiques en réalisant et en caractérisant (i) des lasers Fabry Pérot, (ii) des lasers à guidage par le gain et (iii) des micro-lasers en disque.