Alternance BUT3/LP : caractérisation de couches minces en matériaux II-VI par PVD H/F - CEA
Alternance
Fonction : Non définie
Lieu : Non défini
Date de début : Fri, 04 Apr 2025 13:23:00 Z
Date de fin : 04-05-2025
Rémunération comprise entre € et € par
Description de l'offre

Cadre et contexte : le Département des PlateFormes Technologiques (DPFT) du LETI souhaite améliorer ses procédés de fabrication des composants semi-conducteurs pour le domaine de l’Infra-Rouge Refroidi (IRR). Dans ce contexte, le Laboratoire d’Intégration Technologique pour la Photonique (LITP) met en œuvre des couches isolantes, semi-conductrices et conductrices dont on cherche à optimiser ou modifier les caractéristiques. Travail demandé : vous aurez en charge de définir et d’appliquer une méthode pertinente de caractérisation électrique des couches minces d’isolants. Ce travail, à forte dominante expérimentale, se déroulera majoritairement en salle blanche, sur un équipement de dépôt d’isolants par pulvérisation cathodique (PVD) et divers équipements standard de la micro-électronique, essentiellement de photolithographie-gravure, et de caractérisation (test électrique sous pointes, MEB, profilomètre mécanique, ellipsomètre). Une étude spécifique visant à améliorer les dépôts de métaux par PVD, au moyen d’une méthode type « plan d’expérience » sera demandée en cours d’année. L’ensemble de ces travaux permettra d’enrichir le catalogue procédé pour les principaux matériaux (CdTe, ZnS, Au, Ti, Pt, Cr) mis en œuvre au sein du laboratoire.

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